当研究室では、電圧無印加状態でスプレイツイスト構造となる条件の液晶素子に電場印加すること
で、低電圧駆動が可能なRTN液晶が得られることを報告してきたが[1]、同時に270°ねじれたSTN構造
も発生することがあることを報告した。このSTN構造は低電圧で駆動することが可能になる。[2,3]カイ
ラルピッチ(p)がセル厚(d)に対して2.7倍(p/d)になる液晶材料を用いて、液体転移温度付近にて、特定
の電圧を印加しながら、高分子安定化することによって、LPSTN構造を安定化することが出来ること
を確認した。LPSTN構造は電圧無印加時に270度ねじれのSTN構造であるが、フレデリクス転移電圧以
上で方位角方向のねじれが270度STN構造から90度ねじれた Reversed Twisted Nematic(RTN)構造に転移
することがわかった。高分子安定化時の印加電圧による基板付近の液晶分子の極角の違いによって
LPSTN構造とRTN構造が作り分けられることを、Gibbsの自由エネルギーから考察した結果を報告する
。